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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
77
左右 -208% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.3
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
25
读取速度,GB/s
2,936.9
13.0
写入速度,GB/s
1,884.0
6.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
1907
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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