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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
77
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.5
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
57
读取速度,GB/s
2,936.9
9.5
写入速度,GB/s
1,884.0
7.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2213
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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