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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
2,936.9
13.8
写入速度,GB/s
1,884.0
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2550
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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