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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
2,936.9
20.0
写入速度,GB/s
1,884.0
17.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3911
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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