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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
2,936.9
15.1
写入速度,GB/s
1,884.0
9.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2488
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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