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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

总分
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 77
    左右 -114% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 1,884.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    77 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    2,936.9 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    1,884.0 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 2497

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