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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.9
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
2,936.9
11.8
写入速度,GB/s
1,884.0
5.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
1984
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
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