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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
2,936.9
16.7
写入速度,GB/s
1,884.0
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2904
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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