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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

总分
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    60 left arrow 77
    左右 -28% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    9.2 left arrow 2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 1,884.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    77 left arrow 60
  • 读取速度，GB/s
    2,936.9 left arrow 9.2
  • 写入速度，GB/s
    1,884.0 left arrow 7.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 2136

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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内存RAM
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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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