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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
16.6
写入速度,GB/s
1,884.0
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2712
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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