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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

总分
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 77
    左右 -157% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 1,884.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    77 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    2,936.9 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    1,884.0 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 3447

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Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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