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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
10.3
12.3
写入速度,GB/s
8.5
6.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2390
1732
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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