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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
15.1
14.0
写入速度,GB/s
11.3
9.1
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2631
2221
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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