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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
12.6
15.4
写入速度,GB/s
7.2
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2786
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
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