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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
66
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
66
读取速度,GB/s
15.4
7.9
写入速度,GB/s
11.6
7.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2786
1862
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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