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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
15.5
17.6
写入速度,GB/s
11.6
12.0
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2822
2910
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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