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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
比较
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
63
读取速度,GB/s
17.2
10.0
写入速度,GB/s
12.9
7.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3100
2162
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
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