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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
15.0
19.6
写入速度,GB/s
10.1
15.8
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3252
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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