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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
50
左右 28% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
50
读取速度,GB/s
15.0
17.2
写入速度,GB/s
10.1
13.1
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3277
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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