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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
74
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
74
读取速度,GB/s
15.0
15.4
写入速度,GB/s
10.1
8.0
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
1714
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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