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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
36
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
20
读取速度,GB/s
15.0
17.0
写入速度,GB/s
10.1
8.2
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2503
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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