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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.0
14.9
写入速度,GB/s
10.1
10.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2800
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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