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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
36
读取速度,GB/s
15.0
13.9
写入速度,GB/s
10.1
10.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2581
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
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Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
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