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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
41
读取速度,GB/s
15.0
16.2
写入速度,GB/s
10.1
11.7
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2847
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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