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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
36
读取速度,GB/s
15.0
15.8
写入速度,GB/s
10.1
11.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2497
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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