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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 45
    左右 20% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 17000
    左右 1.25% 更高的带宽
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 11.6
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2657 left arrow 2036

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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内存RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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内存RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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