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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
15.0
15.7
写入速度,GB/s
10.1
8.0
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2390
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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