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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
15.0
15.5
写入速度,GB/s
10.1
8.0
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2414
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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