SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 36
    左右 -20% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.4 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.4 left arrow 10.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    36 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    15.0 left arrow 16.4
  • 写入速度,GB/s
    10.1 left arrow 13.4
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2657 left arrow 3188
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RAM 2

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