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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
总分
AMD R7S48G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
74
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R7S48G2400U2S 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
74
读取速度,GB/s
15.3
14.2
写入速度,GB/s
12.9
8.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2973
1774
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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