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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
60
左右 -25% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
48
读取速度,GB/s
4,595.2
11.5
写入速度,GB/s
2,168.2
8.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2453
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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