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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
60
Autour de -25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
48
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2453
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
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