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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
40
读取速度,GB/s
15.4
15.0
写入速度,GB/s
11.6
11.2
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2100
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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