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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
11.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
15.4
17.7
写入速度,GB/s
11.5
12.8
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
3152
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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