SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

总分
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 36
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.1 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.0 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 21300
    左右 1.2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    36 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    15.4 left arrow 16.1
  • 写入速度,GB/s
    11.5 left arrow 13.0
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2320 left arrow 2987
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较