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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
比较
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR3
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
15.7
14.8
写入速度,GB/s
11.6
8.7
内存带宽,mbps
25600
12800
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
2338
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Team Group Inc. 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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