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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
11.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
15.7
18.6
写入速度,GB/s
11.6
15.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
3843
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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