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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
比较
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
39
读取速度,GB/s
16.7
14.9
写入速度,GB/s
10.6
11.3
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2789
2771
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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