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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
55
左右 -10% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
50
读取速度,GB/s
16.0
15.3
写入速度,GB/s
12.9
10.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2699
2512
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
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