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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
48
左右 -182% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
17
读取速度,GB/s
10.1
21.4
写入速度,GB/s
7.0
19.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
3775
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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