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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
10.1
17.8
写入速度,GB/s
7.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
3126
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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