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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
10.1
18.3
写入速度,GB/s
7.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3454
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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