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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
10.1
10.5
写入速度,GB/s
7.0
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
2386
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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