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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
10.1
19.2
写入速度,GB/s
7.0
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
3180
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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