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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

总分
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 51
    左右 -70% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.6 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    51 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 12.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2182 left arrow 3047

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
内存RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
内存RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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内存RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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