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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
17.2
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3157
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB RAM的比较
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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