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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
6.1
17.4
写入速度,GB/s
4.7
13.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3049
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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