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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
48
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
34
读取速度,GB/s
8.9
15.9
写入速度,GB/s
5.9
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2800
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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