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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
72
左右 29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
72
读取速度,GB/s
9.8
15.3
写入速度,GB/s
8.2
8.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
1817
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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