RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
72
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
72
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
1817
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link